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 氧化铍陶瓷 (BeO)
在高性能电子领域，封装是电路效率的一个限制因素。热量管理，与可靠性和小型化发展趋势一起，成为电子设计的关键性因素。氧化铍陶瓷封装技术使微电子电路能够在一个小型，高可靠性的封装中，以高频率运行。
在众多绝缘材料中，氧化铍可以为您提供仅次于金刚石的导热性，在室温下能以大约 300W/mK 进行散热。它可以提供一个介于砷化镓和耐火金属复合材料之间的热膨胀系数（CTE）、较低的介电常数 (6.7) 以及较低的损耗指数 (0.0012 ， 1 兆赫状态下) ，允许在高频率条件下改善电路的性能。氧化铍在氧化及还原高湿度环境下也十分稳定，不像氮化物，它们会分解成其氧化等价物。
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